一、本文采用有無離子源輔助電子束蒸發(fā)兩種工藝制備了Ta2O5薄膜，研究了制備工藝對(duì)Ta2O5薄膜性能的影響。

二、使用PMMA電子束抗蝕劑，在該系統(tǒng)上獲得0.1微米的線分辨率。

三、為滿足納米級(jí)電子束曝光系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)了高速圖形發(fā)生器。

四、在圓形硅基底上采用電子束加熱蒸發(fā)制備了二氧化鈦薄膜。

五、研究了角錐喇叭天線的電子束焊接工藝,并與傳統(tǒng)的氬弧焊成形工藝進(jìn)行了對(duì)比.

六、評(píng)述了平板CRT的基本問題，指出矩陣式驅(qū)動(dòng)和電子束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)結(jié)合的平板CRT可能是很有前途的一種方案。

七、因此目前電子束光刻設(shè)備主要的用途是用于刻制掩膜板，許多人甚至認(rèn)為電子束光刻技術(shù)的產(chǎn)出量永遠(yuǎn)也無法滿足芯片量產(chǎn)的需求。

八、與所有降B調(diào)，電子束，C和低音譜號(hào)文書，爵士隊(duì)用播放沿系列是最終的學(xué)習(xí)所有爵士樂手工具。

九、利用柱坐標(biāo)系下的二維PIC程序?qū)�金屬靶背向超�?em>電子束的運(yùn)動(dòng)特性進(jìn)行了模擬，研究了超熱電子的回流機(jī)制。

十、高能量電子束也能用來激發(fā)高能量X射線峰的發(fā)射.

十一、結(jié)果：電子束CT使用電子束的磁偏轉(zhuǎn)代替球管機(jī)械運(yùn)動(dòng)，既加快掃描速度，又減少機(jī)械磨損，有很高的時(shí)間分辨率。

十二、空心鋁球的焊接更有特殊性，采用真空電子束焊接比激光焊接更為有利。

十三、研究了電子束曝光機(jī)圖形數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換軟件的分割、壓縮算法，針對(duì)傳統(tǒng)的圖形數(shù)據(jù)分割、壓縮算法存在的主要缺點(diǎn)，提出了新的分割算法和壓縮算法，并對(duì)壓縮算法進(jìn)行了詳細(xì)的論述和研究。

十四、為實(shí)現(xiàn)電子束曝光機(jī)掃描場(chǎng)的線性畸變校正，設(shè)計(jì)了圖形發(fā)生器的成像系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括硬件和軟件兩部分。

十五、Ta2O5薄膜采用傳統(tǒng)的電子束蒸發(fā)方法沉積在BK7基底上�！靖呖忌龑W(xué)網(wǎng)】

十六、使用方法如電子束熔煉或選擇性激光燒結(jié).

十七、通過對(duì)電子束擴(kuò)散函數(shù)與顯影對(duì)比度的分析，本文認(rèn)為電子束曝光的分辨極限與顯影液在納米尺度下的擴(kuò)散限制有關(guān)。

十八、透射電子顯微鏡發(fā)出電子束直接打向細(xì)胞樣本，得到細(xì)胞的精細(xì)結(jié)構(gòu)。

十九、用AFM表征了有離子源電子束蒸發(fā)制備薄膜的表面形貌、粗糙度、相位信息，分析認(rèn)為此工藝下Ta2O5薄膜為島狀模式生長，不同厚度薄膜表面粗糙度變化不大。

二十、電子束焊接是通過陰極加熱發(fā)射的電子，經(jīng)高壓電場(chǎng)加速后，獲得極高的動(dòng)能，加速后的電子經(jīng)過磁透鏡聚焦而形成能量密度極高的電子束來轟擊工件表面。

二十一、本文介紹了新型電子束熔煉爐技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)、性能及其特點(diǎn)。

二十二、然后我放了兩個(gè)感光片,我可以檢測(cè)到光束所以,當(dāng)我觀察時(shí),電子束以每秒80次的速度來來回回了。

二十三、結(jié)果表明，結(jié)果表明，熔煉工藝參數(shù)如熔化速度、熔煉功率、電子束掃描方式和掃描頻率都會(huì)對(duì)熔池表面溫度產(chǎn)生劇烈影響。

二十四、此外，用此方法提取的電子散射參數(shù)被成功地用于相同實(shí)驗(yàn)條件下的電子束臨近效應(yīng)校正。

二十五、比如一些3D印刷機(jī)在印刷臺(tái)鋪撒金屬粉末之后，采用露光模板以外的激光或電子束方式進(jìn)行熱凝處理來產(chǎn)生樣模。

二十六、殘留表面電位會(huì)在后續(xù)觀測(cè)中引入誤差，影響臨界尺度掃描電鏡法的測(cè)量精度，并在電子束光刻中造成位置誤差。

二十七、這個(gè)獨(dú)立的的氮化硅結(jié)構(gòu)從力學(xué)上看也很牢固，并且能禁受住TEM中300keV電子束的照射。

二十八、論述了光柵掃描的原理及特點(diǎn)；介紹了圖形發(fā)生器的作用及電子束在控制系統(tǒng)作用下在基片上描繪圖形的過程。

二十九、為了實(shí)現(xiàn)高清晰度顯示，大量采用非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的系統(tǒng)以減小電子束上屏的束點(diǎn)尺寸。

三十、衍射光學(xué)元件有很多制作方法，比較成熟的有二元光學(xué)元件加工方法和激光或電子束直寫技術(shù)加工方法。

三十一、并在分析造成真空度不穩(wěn)定原因的基礎(chǔ)上，闡述了的電子束爐真空系統(tǒng)的控制方案及其算法。

三十二、方法：用電子束蒸發(fā)和射頻磁控濺射兩種技術(shù)制備了天然HA薄膜。

三十三、彩色顯像管的超薄型化涉及到兩方面的問題，其一是擴(kuò)大電子束的偏轉(zhuǎn)角，其二是減小玻殼的長度，尤其是錐體玻殼的長度。

三十四、舍溫解釋說，當(dāng)頻率合適的光線附到一個(gè)量子井上時(shí)，它會(huì)創(chuàng)造出一對(duì)叫做“電子空穴對(duì)”的電子束縛洞，而光線會(huì)被其所吸收。

三十五、這幅顯微照片是通過掃描穿過樣品的電子束而獲得的，同時(shí)檢測(cè)器對(duì)從樣品表面反彈的電子進(jìn)行追蹤，這些電子顯示了標(biāo)本的外形。

三十六、本文的模擬結(jié)果不僅能為高能電子束光刻工藝優(yōu)化曝光條件、降低鄰近效應(yīng)提供理論指導(dǎo)，而且能為進(jìn)一步的鄰近效應(yīng)的校正提供更精確的數(shù)據(jù)。

三十七、相應(yīng)的電流就用來使陰極射線管里的電子束偏轉(zhuǎn).

三十八、通過將石墨烯薄片放置在一個(gè)氮化硅薄膜上，并用電子束在石墨烯上打出納米尺度的孔，他們制作出了一系列從5到25nm直徑的孔。

三十九、實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析表明，動(dòng)態(tài)變化的電子束蒸發(fā)工藝是制備優(yōu)質(zhì)ITO透明導(dǎo)電膜的有效方法。

四十、介紹了用真空電子束焊接大型客車后橋殼半軸的工藝方法，并就焊接過程中存在的主要問題進(jìn)行了分析。

四十一、高功率雷射束與高能電子束相碰時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一束極窄的伽瑪射線。

四十二、電子束蒸發(fā)臺(tái)是制作半導(dǎo)體、光電器件的必要設(shè)備，對(duì)器件的性能有很大的影響。

四十三、我之前提及過，我們上次,講到應(yīng)用經(jīng)典力學(xué)如何描述,一個(gè)原子以及原子如何把質(zhì)子,和電子束縛在一起，今天我們要。

四十四、本工作研究了BGO晶體在快電子束作用下材料中出現(xiàn)的輻射損傷。

四十五、本課題主要研究基于DSP的電子束曝光機(jī)圖形發(fā)生器控制器。

四十五、高考升學(xué)網(wǎng)盡量原創(chuàng)和收集優(yōu)質(zhì)句子,使您在造句的同時(shí),更能學(xué)到有用的知識(shí).

四十六、測(cè)量發(fā)現(xiàn)當(dāng)電子束流增大到一定程度時(shí)，測(cè)出的彈性電子峰嚴(yán)重畸變，電子倍增器工作在飽和狀態(tài)。

四十七、論文介紹了國內(nèi)外電子束曝光技術(shù)的發(fā)展和圖形發(fā)生器的工作原理。

四十八、利用電子束光刻技術(shù)制作了基于鈦酸鈉納米線的納米器件。

四十九、本論文利用電子束蒸發(fā)方法制備氧化鎢、氧化鎳薄膜的基礎(chǔ)上，研究了熱處理工藝對(duì)于薄膜電致變色性能的影響。

五十、最后利用電子束蒸發(fā)技術(shù)制備了薄膜樣品，樣品的光譜性能完全能夠滿足使用要求。

五十一、用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級(jí)鋁層形成了電感器。

五十二、介紹了電子束焊機(jī)中的具體高電壓技術(shù)問題。

五十三、聚光鏡系統(tǒng)可將電子束聚集在樣品上,并且物鏡可對(duì)樣品進(jìn)行初級(jí)放大.

五十四、采用電阻蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)方法，制備了9種紅外薄膜材料的單層膜，包括氟化物、硫化物和硒化物。

五十五、本文用電子束蒸發(fā)的方法在K9玻璃上制備了AZO薄膜。

五十六、本文介紹一種新型的光學(xué)薄膜制備用多離子束電子束系統(tǒng)。

五十七、采用電子束蒸發(fā)沉積技術(shù)制備了平板偏振膜。

五十八、用一個(gè)磁場(chǎng)使電子束走曲線路徑能夠屏蔽熱陰極.

五十九、指電子束蒸發(fā)器或曝光系統(tǒng)。

六十、第一章簡單介紹了電子束曝光技術(shù)的背景知識(shí)，包括國內(nèi)外電子束曝光技術(shù)的發(fā)展過程和趨勢(shì)、電子束曝光機(jī)以及圖形發(fā)生器的研制與應(yīng)用。

六十一、論文分析了國內(nèi)外電子束曝光技術(shù)的發(fā)展和圖形發(fā)生器的工作原理。

六十二、同時(shí)還介紹了電子束光刻技術(shù)及其改進(jìn)。

六十三、本文介紹了低能電子在固體中的彈性散射和非彈性散射，及其在電子束顯微分析中的一些應(yīng)用。

六十四、盡管如此，目前仍有許多公司和研究機(jī)構(gòu)在繼續(xù)研究和開發(fā)電子束光刻設(shè)備。

六十五、采用電子束直寫、步進(jìn)制模、壓印翻制的壓印模具生產(chǎn)工藝，其模具的制造是目前面臨的難點(diǎn)。

六十六、納米光刻技術(shù)在微電子制作中起著關(guān)鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是最好的方法之一。

六十七、對(duì)電子束物理氣相沉積高硅硅鋼片進(jìn)行了高溫快速退火處理.

六十八、電子束流的“馴服者”機(jī)敏,健談,自信,周身散發(fā)著股向上的熱力。

六十九、電子束流的“馴服者”從事大科學(xué)裝置技術(shù)研究的冷用斌,10多年來,一直將他的青春與夢(mèng)想綻放在“鸚鵡螺”里。